接近与环境光光学传感器和功率.蹭飞

丰台区大红门西路大李窑地区北京大红门木材厂彩钢板库房起火并冒出大量浓烟宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 月 28 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其VCNL4000接近与环境光光学传感器及SiR880DP ThunderFET 80 V功率MOSFET荣获EN-Genius Network ()颁发的年度产品奖，该站在为电子设计工程师提供信息来源方面走在业界前列。

EN-Genius 2010年度产品奖的获奖产品是由EN-Genius主编Paul McGoldrick，以及Lee Goldberg和Alex Mendelsohn从年内公开发布的产品中挑选出来的。

Vishay的VCNL4000被EN-Genius授予光检测领域的最佳研发奖。该器件完整集成了接近与环境光光学传感器，在业内首次将红外滤波器、光PIN二极管、环境光探测器、信号处理IC和16bit ADC集成进小尺寸的 .95 mm x .95 mm x 0.75 mm无引线(LLP)表面贴装封装里。节省空间的VCNL4000支持易用的I2C总线通信接口，能够在各种消费和工业应用中大幅简化设计。

EN-Genius表示：“Vishay将光探测领域的丰富经验应用到这个产品上，对于移动设备的接近检测、显示/键盘对比度控制和调光应用，这款产品在性能和尺寸都堪称完美。产品定价非常合理，在性能表现上也极为出色。”

Vishay的ThunderFET SiR880DP被EN-Genius评为最佳高压功率MOSFET，该MOSFET在制造过程中采用了一种新的为更高电压MOSFET优化的低导通电阻技术。SiR880DP是首款可在4.5V栅极驱动下导通的80V功率MOSFET，采用热增强型PowerPAK SO-8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V下，典型导通电阻与栅极电荷乘积为161，该数值是衡量DC-DC转换器应用中MOSFET的优值系数(FOM，单位是nC-mΩ)。

EN-Genius评价：“N沟道SiR880DP的显著特点是兼有高电压等级和4.5V栅极驱动等级，且能提供超低的导通电阻。SiR880DP能在4.5V电压下导通，这样就能用5V PWM IC实现更高频率的转换器，而不需要目前所使用的6V器件。产品定价非常有吸引力，还能让以前的设计在DC-DC转换器中继续发挥余热。”

Vishay获奖产品的链接如下：

798 (VCNL4000)

(SiR880DP)

VCNL4000和SiR880DP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期分别为十周和十六周。