产综研成立纳米电子元件研究中心推进半导体.DG

范冰冰和霍思燕两人出道以来的首次合作日本的产业技术综合研究所（产综研）于近日成立了“纳米电子元件研究中心”。目的是推进半导体元件的微细化，以及开发取代CMOS晶体管微细化的、基于新原理的技术。 该中心将推进 2nm及22nm工艺半导体元件的微细化和高性能化。为此，将从高性能元件的试制及其电特性测试、纳米级别的物理测量评价分析、第一原理电子状态计算、元件模拟等全方位的科学计算分析。 此外，还将开发取代CMOS晶体管微细化的、基于新原理的技术。这是因为， 2nm工艺以后的微细化需要导入新材料、新构造及新生产工艺，但该领域预计到2020年左右将达到极限。通过开发基于新原理的技术，有望解决这一问题。将建立与外部机构共用的研发设施“NeIP（纳米电子技术创新平台）”，与产综研的其他部门及外部机构合作，将其用作把基本技术与元件实证相结合的设施。将以CMOS技术为基础，高效试制新材料及新构造元件，推进可将测定数据和模拟试验结果进行系统性积累的知识管理。 另外，该中心为了推进新一代半导体的研发，将继续推进通过NEDO（新能源产业技术综合开发机构）委托的国家项目“半导体MIRAI项目”培育的技术。产综研的新一代半导体研究中心等参与了半导体MIRAI项目。产综研称，半导体MIRAI项目在应变硅技术及高介电常数栅极绝缘膜技术等领域，在保持CMOS晶体管构造的前提下提高性能方面取得了巨大成果。但是，随着CMOS晶体管的尺寸逐渐接近10nm原子水平，需要开展包括半导体之外的技术领域在内的研发等，因此产综研决定设立纳米电子元件研究中心。