简称IR) 推出新系列- 0 V器件

国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出新系列- 0 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P沟道MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 m至59 m，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“相比上一代产品，这个新型SO-8 P 沟道 MOSFET系列显著改善了电流处理能力，更为客户提供广泛的导通电阻选择，以适应他们对温度和成本的要求。同时，P 沟道技术也可以简化电路设计。”

P 沟道 MOSFET器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 标准，所采用的材料不含铅，且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

产品规格

器件编号 封装 BV (V) 最大 Vgs (V) 10V下的典型 / 最大RDS(on) (m) 4.5V下的典型 / 最大RDS(on)(m)

IRF9 10 SO-8 - 0 20 .9 / 4.6 5.8 / 6.8

IRF9 17 SO-8 - 0 20 5.4 / 6.6 8. / 10.2

IRF9 21 SO-8 - 0 20 5.9 / 7.2 9. / 11.2

IRF9 28 SO-8 - 0 20 10.0 / 11.9 16.1 / 19.7

IRF9 2 SO-8 - 0 20 1 .6 / 17.5 22.5 / 28.1

IRF9 SO-8 - 0 20 15.6 / 19.4 25.6 / 2.5

IRF9 5 SO-8 - 0 20 48 / 59 8 / 110

IRF9 62 SO-8 (dual) - 0 20 17.0 / 21.0 25.7 / 2静脉曲张治疗最好方法
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