衡量LED显示屏寿命探讨LED光衰的原因

　　LED的长时间工作会光衰引发老化，特别对大功率LED来讲，光衰问题更加严重。在衡量LED的寿命时，仅仅以灯的损坏来作为 LED显示屏寿命的终点是远远不够的，应该以LED的光衰减百分比来规定LED的寿命，比如5%或10%，这样更有意义。

　　光衰：在对感光鼓表面充电时，随着电荷在感光鼓表面的积累，电位也不断升高，最后达到 "饱和"电位，就是最高电位。表面电位会随着时间的推移而下落，一般工作时的电位都低于这个电位，这个电位随时间自然下降的进程，称之为"暗衰"过程。感光鼓经扫描曝光时，暗区（指未受光照射部份的光导体表面）电位仍处在暗衰过程;亮区（指受光照射部分的光导体表面）光导层内载流子密度迅速增加，电导率急速上升，构成光导电压，电荷迅速消失，光导体表面电位也迅速下落。称之为"光衰"，最后趋缓。

　　光致衰退效应：也称S-W效应。a-Si∶H薄膜经较长时间的强光照耀或电流通过，在其内部将产生缺点而使薄膜的使用性能下降，称为Steabler-Wronski效应。对S-W效应的起因，至今仍有不少争议，造成衰退的微观机制也还没有定论，成为迄今国内外非晶硅材料研究的热门课题。总的看法认为，S-W效应起因于光照导致在带隙中产生了新的悬挂键缺陷态（深能级），这类缺陷态会影响a-Si∶H薄膜材料的费米能级EF的位置，从而使电子的分布情况发生变化，进而一方面引起光学性能的变化，另一方面对电子的复合进程产生影响。这些缺点态成为电子和空穴的额外复合中心，使得电子的俘获截面增大、寿命下降。

　　在a-Si∶H薄膜材料中，能够稳定存在的是Si-H键和与晶体硅类似的Si-Si键，这些键的键能较大，不容易被打断。由于a-Si∶H材料结构上的无序，使得一些Si-Si键的键长和键角产生变化而使Si-Si键处于应变状态。高应变Si-Si键的化学势与H相当，可以被外界能量打断，形成Si-H键或重新组成更强的Si-Si键。如果断裂的应变Si-Si键没有重构，则a-Si∶H薄膜的悬挂键密度增加。为了更好地理解S-W效应产生的机理并控制a-Si∶H薄膜中的悬挂键，以期寻觅稳定化处理方法和工艺，20多年来，国内外科学工作者进行了不懈的努力，提出了大量的物理模型，主要有弱键断裂（SJT）模型、“H玻璃”模型、H碰撞模型、Si-H-Si桥键形成模型、“defect pool”模型等，但至今仍没有形成统一的观点。